GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers| ጋሊየም አርሴንዲድ ንጣፎች

GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers| የጋሊየም አርሴንዲድ ንጣፎች ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

Semicera Energy Technology Co., Ltd. በዋፈር እና የላቀ ሴሚኮንዳክተር ፍጆታዎች ላይ የተካነ መሪ አቅራቢ ነው። ለሴሚኮንዳክተር ማምረቻ፣ ለፎቶቮልታይክ ኢንዱስትሪ እና ለሌሎች ተዛማጅ መስኮች ከፍተኛ ጥራት ያላቸውን፣ አስተማማኝ እና አዳዲስ ምርቶችን ለማቅረብ ቆርጠን ተነስተናል።

የእኛ የምርት መስመር እንደ ሲሊከን ካርቦይድ ፣ ሲሊኮን ናይትራይድ ፣ እና አልሙኒየም ኦክሳይድ እና ወዘተ ያሉ የተለያዩ ቁሳቁሶችን ያካተተ በሲሲ/ታሲ የተሸፈኑ ግራፋይት ምርቶችን እና የሴራሚክ ምርቶችን ያጠቃልላል።

በአሁኑ ጊዜ ንፅህናን 99.9999% የሲሲ ሽፋን እና 99.9% ሪክሪስታላይዝድ ሲሊኮን ካርቦይድን ለማቅረብ ብቸኛው አምራች ነን። ከፍተኛው የሲሲ ሽፋን ርዝመት 2640 ሚሜ ማድረግ እንችላለን.

ኢሜይል ይላኩልን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የ GaAs substrates በሌዘር (ኤልዲ) ፣ ሴሚኮንዳክተር ብርሃን አመንጪ ዳዮድ (LED) ፣ ቅርብ-ኢንፍራሬድ ሌዘር ፣ ኳንተም በደንብ ከፍተኛ ኃይል ያለው ሌዘር እና ከፍተኛ-ውጤታማ የፀሐይ ፓነሎች ውስጥ በሰፊው ጥቅም ላይ በሚውሉ conductive እና ከፊል-መከላከያ የተከፋፈሉ ናቸው። HEMT እና HBT ቺፕስ ለራዳር፣ ማይክሮዌቭ፣ ሚሊሜትር ሞገድ ወይም እጅግ በጣም ከፍተኛ ፍጥነት ያላቸው ኮምፒውተሮች እና ኦፕቲካል ግንኙነቶች; የሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ መሳሪያዎች ለሽቦ አልባ ግንኙነት፣ 4ጂ፣ 5ጂ፣ የሳተላይት ግንኙነት፣ WLAN።

በቅርብ ጊዜ የጋሊየም አርሴንዲድ ንኡስ ንጣፎች በአነስተኛ ኤልኢዲ፣ በማይክሮ ኤልኢዲ እና በቀይ ኤልኢዲ ትልቅ መሻሻል አሳይተዋል፣ እና በAR/VR ተለባሽ መሳሪያዎች ላይ በስፋት ጥቅም ላይ ይውላሉ።

ዲያሜትር 晶片直径	50 ሚሜ \| 75 ሚሜ \| 100 ሚሜ \| 150 ሚሜ
የእድገት ዘዴ 生长方式	LEC液封直拉法 ቪጂኤፍ垂直梯度凝固法
Wafer ውፍረት 厚度	350 ኤም ~ 625 ኤም
አቀማመጥ 晶向	<100> / <111> / <110> ወይም ሌሎች
የአመራር አይነት 导电类型	P - ዓይነት / N - ዓይነት / ከፊል-መከላከያ
ዓይነት / ዶፓንት 掺杂剂	Zn / Si / ተቀልብሷል
ተሸካሚ ማጎሪያ 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 ሴሜ-3
የመቋቋም ችሎታ በ RT 室温电阻率(ohm•ሴሜ)	≥1E7 ለ SI
ተንቀሳቃሽነት 迁移率(ሴሜ 2/V•ሴኮንድ)	≥4000
EPD(Etch Pit Density) 腐蚀坑密度	100~1E5
ቲቲቪ 总厚度变化	≤ 10 ኤም
ቀስት / ዋርፕ 翘曲度	≤ 20 ኤም
የገጽታ ማጠናቀቅ 表面	DSP/SSP
ሌዘር ማርክ 激光码
ደረጃ 等级	Epi የተወለወለ ደረጃ / ሜካኒካል ደረጃ