6 lnch n-type sic substrate

አጭር መግለጫ፡-

6-ኢንች n-አይነት SiC substrate‌ ባለ 6-ኢንች ዋፈር መጠን በመጠቀም የሚታወቅ ሴሚኮንዳክተር ቁስ ሲሆን ይህም በአንድ ዋይፍ ላይ በአንድ ትልቅ ወለል ላይ የሚመረቱትን መሳሪያዎች ብዛት ይጨምራል፣ በዚህም የመሣሪያ ደረጃ ወጪዎችን ይቀንሳል። . ባለ 6 ኢንች n-አይነት የሲሲ ንኡስ ንኡስ ንኡስ ንኡስ ንኡስ ንኡስ ንጥፈታት መራሕቲ ቴክኖሎጅን ምምሕዳርን ኣብ ልምዓት ልምዲ ንጥፈታት ዘድልዮም መገዲ ኽንረክብ ንኽእል ኢና። የዚህ ንጥረ ነገር አተገባበር የምርት ቅልጥፍናን ለማሻሻል እና የሲሲ ኃይል መሳሪያዎችን ወጪዎች ለመቀነስ ትልቅ ጠቀሜታ አለው.


የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የሲሊኮን ካርቦዳይድ (ሲሲ) ነጠላ ክሪስታል ቁሳቁስ ትልቅ የባንድ ክፍተት ስፋት (~ Si 3 ጊዜ) ፣ ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ (~ Si 3.3 ጊዜ ወይም GaAs 10 ጊዜ) ፣ ከፍተኛ የኤሌክትሮን ሙሌት ፍልሰት መጠን (~ Si 2.5 ጊዜ) ፣ ከፍተኛ ብልሽት ኤሌክትሪክ አለው። መስክ (~ Si 10 ጊዜ ወይም GaAs 5 ጊዜ) እና ሌሎች አስደናቂ ባህሪያት.

የሶስተኛው ትውልድ ሴሚኮንዳክተር ቁሶች በዋናነት ሲሲ፣ጋኤን፣አልማዝ፣ወዘተ ያካትታሉ፣ምክንያቱም የባንድ ክፍተቱ ስፋት (ለምሳሌ) ከ2.3 ኤሌክትሮን ቮልት (ኢቪ) የሚበልጥ ወይም እኩል ስለሆነ ሰፊ ባንድ ክፍተት ሴሚኮንዳክተር ቁሶች በመባል ይታወቃል። ከመጀመሪያው እና ከሁለተኛው ትውልድ ሴሚኮንዳክተር ቁሶች ጋር ሲነፃፀር የሶስተኛው ትውልድ ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁሶች ከፍተኛ የሙቀት አማቂነት ፣ ከፍተኛ ብልሽት የኤሌክትሪክ መስክ ፣ ከፍተኛ የኤሌክትሮን ፍልሰት መጠን እና ከፍተኛ የመተሳሰሪያ ኃይል ጥቅሞች አሏቸው ፣ ይህም ለከፍተኛ ዘመናዊ የኤሌክትሮኒክስ ቴክኖሎጂ አዲስ መስፈርቶችን ሊያሟላ ይችላል ። የሙቀት መጠን, ከፍተኛ ኃይል, ከፍተኛ ጫና, ከፍተኛ ድግግሞሽ እና የጨረር መከላከያ እና ሌሎች አስቸጋሪ ሁኔታዎች. በብሔራዊ መከላከያ፣ አቪዬሽን፣ ኤሮስፔስ፣ ዘይት ፍለጋ፣ ኦፕቲካል ማከማቻ፣ ወዘተ ያሉ ጠቃሚ የመተግበሪያ ተስፋዎች ያሉት ሲሆን እንደ ብሮድባንድ ኮሙኒኬሽን፣ የፀሐይ ኃይል፣ የመኪና ማምረቻ በመሳሰሉ በርካታ ስትራቴጂካዊ ኢንዱስትሪዎች ውስጥ ከ50% በላይ የኃይል ብክነትን ሊቀንስ ይችላል። ሴሚኮንዳክተር መብራት ፣ እና ስማርት ፍርግርግ ፣ እና የመሳሪያውን መጠን ከ 75% በላይ ሊቀንስ ይችላል ፣ ይህም ለሰው ልጅ ሳይንስ እና ቴክኖሎጂ እድገት ትልቅ ፋይዳ ያለው ነው።

ሴሚሴራ ኢነርጂ ለደንበኞች ከፍተኛ ጥራት ያለው ኮንዳክቲቭ (ኮንዳክቲቭ) ፣ ከፊል-መከላከያ (ከፊል-መከላከያ) ፣ HPSI (ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-መከላከያ) የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ; በተጨማሪም ፣ ለደንበኞች ተመሳሳይ እና የተለያዩ የሲሊኮን ካርቦይድ ኤፒታክሲያል አንሶላዎችን መስጠት እንችላለን ። እንዲሁም የኤፒታክሲያል ሉህ በደንበኞች ልዩ ፍላጎት መሰረት ማበጀት እንችላለን፣ እና አነስተኛ የትዕዛዝ ብዛት የለም።

መሰረታዊ የምርት ዝርዝሮች

መጠን 6-ኢንች
ዲያሜትር 150.0 ሚሜ + 0 ሚሜ / - 0.2 ሚሜ
የገጽታ አቀማመጥ ከዘንግ ውጭ፡4° ወደ<1120>±0.5°
የመጀመሪያ ደረጃ ጠፍጣፋ ርዝመት 47.5 ሚሜ 1.5 ሚሜ
የመጀመሪያ ደረጃ ጠፍጣፋ አቀማመጥ <1120>±1.0°
ሁለተኛ ደረጃ ጠፍጣፋ ምንም
ውፍረት 350.0um ± 25.0um
ፖሊታይፕ 4H
የአመራር አይነት n-አይነት

ክሪስታል ጥራት መግለጫዎች

6-ኢንች
ንጥል P-MOS ደረጃ P-SBD ደረጃ
የመቋቋም ችሎታ 0.015Ω · ሴሜ-0.025Ω · ሴሜ
ፖሊታይፕ ምንም አልተፈቀደም።
የማይክሮ ፓይፕ ትፍገት ≤0.2/ሴሜ2 ≤0.5/ሴሜ 2
ኢ.ፒ.ዲ ≤4000/ሴሜ 2 ≤8000/ሴሜ 2
ቴዲ ≤3000/ሴሜ 2 ≤6000/ሴሜ 2
ቢፒዲ ≤1000/ሴሜ 2 ≤2000/ሴሜ 2
TSD ≤300/ሴሜ 2 ≤1000/ሴሜ 2
SF(በUV-PL-355nm የሚለካ) ≤0.5% አካባቢ ≤1% አካባቢ
ሄክስ ሳህኖች በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን ምንም አልተፈቀደም።
የእይታ ካርቦን ማካተት በከፍተኛ ብርሃን ድምር አካባቢ≤0.05%
微信截图_20240822105943

የመቋቋም ችሎታ

ፖሊታይፕ

6 lnch n-type sic substrate (3)
6 lnch n-type sic substrate (4)

BPD&TSD

6 lnch n-type sic substrate (5)
የሲሲ ዋፍሮች

  • ቀዳሚ፡
  • ቀጣይ፡-