CVD SiC ሽፋን
የሲሊኮን ካርቦይድ (ሲሲ) ኤፒታክሲ
የሲሲ ኤፒታክሲያል ቁርጥራጭን ለማሳደግ የSIC substrate የሚይዘው ኤፒታክሲያል ትሪው፣ በምላሹ ክፍል ውስጥ የተቀመጠ እና ከዋፋው ጋር በቀጥታ ይገናኛል።
የላይኛው የግማሽ ጨረቃ ክፍል የሲክ ኤፒታክሲ መሳሪያዎች ምላሽ ክፍል ሌሎች መለዋወጫዎች ተሸካሚ ሲሆን የታችኛው ግማሽ ጨረቃ ክፍል ከኳርትዝ ቱቦ ጋር ሲገናኝ የሱሴፕቶርን መሠረት እንዲሽከረከር ጋዝ ያስተዋውቃል።እነሱ የሙቀት-ተቆጣጣሪ ናቸው እና ከዋፋው ጋር ቀጥተኛ ግንኙነት ሳይኖራቸው በምላሽ ክፍል ውስጥ ተጭነዋል።
ሲ ኤፒታክሲ
የሲ ኤፒታክሲያል ቁርጥራጭን ለማሳደግ የ Si substrate የሚይዘው ትሪው፣ በምላሹ ክፍል ውስጥ የተቀመጠ እና ከዋፋው ጋር በቀጥታ ይገናኛል።
የቅድመ-ሙቀት ቀለበቱ በሲ ኤፒታክሲያል ንጣፍ ትሪ ውጫዊ ቀለበት ላይ የሚገኝ ሲሆን ለማስተካከል እና ለማሞቅ ያገለግላል።በምላሹ ክፍል ውስጥ ተቀምጧል እና ከዋፋው ጋር በቀጥታ አይገናኝም.
የ Si epitaxial ቁራጭ ለማደግ የ Si substrate የሚይዘው ኤፒታክሲያል ሱስሴፕተር፣ በምላሽ ክፍል ውስጥ የተቀመጠ እና ከዋፋው ጋር በቀጥታ ይገናኛል።
ኤፒታክሲያል በርሜል በተለያዩ ሴሚኮንዳክተር ማምረቻ ሂደቶች ውስጥ በአጠቃላይ በMOCVD መሳሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውሉ ዋና ዋና ክፍሎች ናቸው ፣ እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት መረጋጋት ፣ ኬሚካዊ የመቋቋም እና የመልበስ መቋቋም ፣ ለከፍተኛ የሙቀት ሂደቶች ለመጠቀም በጣም ተስማሚ።ከዋፋሪዎች ጋር ይገናኛል።
| 重结晶碳化硅物理特性 የ Recrystalized ሲሊኮን ካርቦይድ አካላዊ ባህሪያት | |
| 性质 / ንብረት | 典型数值 / የተለመደ እሴት |
| 使用温度 / የስራ ሙቀት (° ሴ) | 1600°ሴ (ከኦክሲጅን ጋር)፣ 1700°C (አካባቢን የሚቀንስ) |
| SiC 含量 / የሲሲ ይዘት | > 99.96% |
| 自由 Si 含量 / ነፃ የሲ ይዘት | <0.1% |
| 体积密度 / የጅምላ እፍጋት | 2.60-2.70 ግ / ሴ.ሜ3 |
| 气孔率 / የሚታየው porosity | < 16% |
| 抗压强度 / የመጭመቅ ጥንካሬ | > 600 MPa |
| 常温抗弯强度 / የቀዝቃዛ መታጠፍ ጥንካሬ | 80-90 MPa (20°ሴ) |
| 高温抗弯强度 ትኩስ የመታጠፍ ጥንካሬ | 90-100 MPa (1400°ሴ) |
| የሙቀት መስፋፋት በ1500°ሴ | 4.70 10-6/° ሴ |
| 导热系数 / Thermal conductivity @1200°C | 23 ወ/ሜ•ኬ |
| 杨氏模量 / የላስቲክ ሞጁል | 240 ጂፒኤ |
| 抗热震性 / የሙቀት ድንጋጤ መቋቋም | እጅግ በጣም ጥሩ |
| 烧结碳化硅物理特性 የሲንቴሬድ ሲሊኮን ካርቦይድ አካላዊ ባህሪያት | |
| 性质 / ንብረት | 典型数值 / የተለመደ እሴት |
| 化学成分 / ኬሚካዊ ቅንብር | ሲሲ>95%፣ ሲ<5% |
| 体积密度 / የጅምላ ትፍገት | > 3.07 ግ/ሴሜ³ |
| 显气孔率 / ግልጽ የሆነ porosity | <0.1% |
| 常温抗弯强度 / በ 20 ℃ ላይ የመሰበር ሞዱል | 270 MPa |
| 高温抗弯强度 / በ 1200 ℃ ላይ የመሰበር ሞዱል | 290 MPa |
| 硬度 / ጥንካሬ በ 20 ℃ | 2400 ኪግ/ሚሜ² |
| 断裂韧性 / ስብራት ጥንካሬ በ 20% | 3.3 MPa · ሜ1/2 |
| 导热系数 / የሙቀት ምግባራት በ 1200 ℃ | 45 ወ/ሜ.ኬ |
| 热膨胀系数 / የሙቀት ማስፋፊያ በ20-1200℃ | 4.5 1 ×10 -6/℃ |
| 最高工作温度 / ከፍተኛ የሥራ ሙቀት | 1400 ℃ |
| 热震稳定性 / የሙቀት ድንጋጤ መቋቋም በ 1200 ℃ | ጥሩ |
| CVD SiC 薄膜基本物理性能 የሲቪዲ ሲሲ ፊልሞች መሰረታዊ አካላዊ ባህሪያት | |
| 性质 / ንብረት | 典型数值 / የተለመደ እሴት |
| 晶体结构 / ክሪስታል መዋቅር | FCC β ደረጃ polycrystalline፣ በዋናነት (111) ተኮር |
| 密度 / ጥግግት | 3.21 ግ/ሴሜ³ |
| 硬度 / ጠንካራነት 2500 | ጭነት (500 ግ) |
| 晶粒大小 / የእህል SiZe | 2 ~ 10 ማይክሮን |
| 纯度 / የኬሚካል ንፅህና | 99.99995% |
| 热容 / የሙቀት አቅም | 640 ኪ.ግ-1· ኬ-1 |
| 升华温度 / Sublimation የሙቀት | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / ተለዋዋጭ ጥንካሬ | 415 MPa RT 4-ነጥብ |
| 杨氏模量 / የወጣቶች ሞዱለስ | 430 Gpa 4pt መታጠፍ፣ 1300 ℃ |
| 导热系数 / Thermal conductivity | 300 ዋ · ሜትር-1· ኬ-1 |
| የሙቀት መስፋፋት (ሲቲኢ) | 4.5×10-6 K -1 |
ፒሮሊቲክ የካርቦን ሽፋን
ዋና ባህሪያት
መሬቱ ጥቅጥቅ ያለ እና ከቀዳዳዎች የጸዳ ነው.
ከፍተኛ ንፅህና፣ አጠቃላይ የርኩሰት ይዘት <20ppm፣ ጥሩ የአየር መከላከያ።
ከፍተኛ የሙቀት መጠን መቋቋም ፣ ጥንካሬ በአጠቃቀም የሙቀት መጠን ይጨምራል ፣ ከፍተኛው እሴት በ 2750 ℃ ፣ በ 3600 ℃ ላይ መሳብ።
ዝቅተኛ የመለጠጥ ሞጁሎች፣ ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ፣ ዝቅተኛ የሙቀት ማስፋፊያ ቅንጅት እና እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት ድንጋጤ መቋቋም።
ጥሩ የኬሚካል መረጋጋት፣ ከአሲድ፣ ከአልካሊ፣ ከጨው እና ከኦርጋኒክ ሬጀንቶች የመቋቋም ችሎታ ያለው፣ እና በቀለጠ ብረቶች፣ ጥቀርሻ እና ሌሎች የሚበላሹ ሚዲያዎች ላይ ምንም ተጽእኖ የለውም።ከ 400 C በታች ባለው ከባቢ አየር ውስጥ በከፍተኛ ሁኔታ ኦክሳይድ አይፈጥርም, እና የኦክሳይድ መጠን በ 800 ℃ በከፍተኛ ሁኔታ ይጨምራል.
በከፍተኛ ሙቀት ምንም አይነት ጋዝ ሳይለቀቅ ከ10-7mmHg በ1800°ሴ አካባቢ ያለውን ክፍተት ጠብቆ ማቆየት ይችላል።
የምርት መተግበሪያ
በሴሚኮንዳክተር ኢንዱስትሪ ውስጥ ለመትነን ማቅለጥ.
ከፍተኛ ኃይል ያለው የኤሌክትሮኒክስ ቱቦ በር.
የቮልቴጅ መቆጣጠሪያውን የሚያገናኝ ብሩሽ.
ለኤክስሬይ እና ለኒውትሮን ግራፋይት ሞኖክሮሞተር።
የተለያዩ የግራፍ ንጣፎች እና የአቶሚክ መምጠጥ ቱቦ ሽፋን.
የፒሮሊቲክ ካርበን ሽፋን ውጤት በ 500X ማይክሮስኮፕ ውስጥ, ያልተነካ እና የታሸገ ወለል.
ሲቪዲ ታንታለም ካርቦይድ ሽፋን
የTaC ሽፋን አዲሱ ትውልድ ከፍተኛ ሙቀትን የሚቋቋም ቁሳቁስ ነው፣ ከሲሲ የተሻለ ከፍተኛ የሙቀት መጠን ያለው መረጋጋት።እንደ ዝገት የሚቋቋም ልባስ, ፀረ-oxidation ሽፋን እና ልባስ-የሚቋቋም ልባስ, 2000C በላይ አካባቢ ጥቅም ላይ ሊውል ይችላል, በሰፊው ኤሮስፔስ እጅግ በጣም ከፍተኛ ሙቀት ትኩስ መጨረሻ ክፍሎች, ሦስተኛው ትውልድ semiconductor ነጠላ ክሪስታል ዕድገት መስኮች ውስጥ ጥቅም ላይ ሊውል ይችላል.
| የ TaC ልባስ አካላዊ ባህሪያት | |
| 密度/ ጥግግት | 14.3 (ግ/ሴሜ 3) |
| 比辐射率/ልዩ ልቀት | 0.3 |
| 热膨胀系数/ የሙቀት ማስፋፊያ ቅንጅት። | 6.3 10/ኬ |
| 努氏硬度 /ጠንካራነት (HK) | 2000 ኤች.ኬ |
| 电阻/ መቋቋም | 1x10-5 Ohm * ሴሜ |
| 热稳定性 /የሙቀት መረጋጋት | <2500 ℃ |
| 石墨尺寸变化/የግራፋይት መጠን ይቀየራል። | -10 ~ -20 |
| 涂层厚度/የሽፋን ውፍረት | ≥220um የተለመደ እሴት (35um±10um) |
ጠንካራ ሲሊኮን ካርቦይድ (ሲቪዲ ሲሲ)
ጠንካራ የሲቪዲ ሲሊኮን ካርቢይድ ክፍሎች ለ RTP/EPI ቀለበቶች እና ቤዝ እና የፕላዝማ ኢች ዋሻ ክፍሎች በከፍተኛ ስርዓት በሚፈለገው የሙቀት መጠን (> 1500 ° ሴ) ለሚሰሩ እንደ ዋና ምርጫ ይታወቃሉ ፣ የንጽህና መስፈርቶች በተለይ ከፍተኛ ናቸው (> 99.9995%)። እና አፈፃፀሙ በተለይ የቶል ኬሚካሎች በተለይ ከፍተኛ ሲሆኑ ጥሩ ነው.እነዚህ ቁሳቁሶች በጥራጥሬው ጠርዝ ላይ ሁለተኛ ደረጃዎችን አያካትቱም, ስለዚህ የእነሱ ክፍሎች ከሌሎቹ ቁሳቁሶች ያነሱ ቅንጣቶችን ያመነጫሉ.በተጨማሪም, እነዚህ ክፍሎች ትኩስ HF/HCI በመጠቀም ትንሽ መበስበስ ጋር ማጽዳት ይቻላል, ይህም ያነሰ ቅንጣቶች እና ረጅም የአገልግሎት ሕይወት ያስከትላል.
