ዋፈር ካሴት ተሸካሚ

እቃዎች

ማምረት

ምርምር

ዱሚ

ክሪስታል መለኪያዎች

ፖሊታይፕ

4H

የገጽታ አቀማመጥ ስህተት

<11-20 >4±0.15°

የኤሌክትሪክ መለኪያዎች

ዶፓንት

n-አይነት ናይትሮጅን

የመቋቋም ችሎታ

0.015-0.025ohm · ሴሜ

ሜካኒካል መለኪያዎች

ዲያሜትር

150.0 ± 0.2 ሚሜ

ውፍረት

350± 25 μm

የመጀመሪያ ደረጃ ጠፍጣፋ አቅጣጫ

[1-100]±5°

የመጀመሪያ ደረጃ ጠፍጣፋ ርዝመት

47.5 ± 1.5 ሚሜ

ሁለተኛ ደረጃ አፓርታማ

ምንም

ቲቲቪ

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 ማይክሮን(5ሚሜ*5ሚሜ)

≤5 μm(5ሚሜ*5ሚሜ)

≤10 μm(5ሚሜ*5ሚሜ)

ቀስት

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

ዋርፕ

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

የፊት (Si-ፊት) ሸካራነት (ኤኤፍኤም)

ራ≤0.2nm (5μm*5μm)

መዋቅር

የማይክሮ ፓይፕ ጥግግት

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

የብረታ ብረት ቆሻሻዎች

≤5E10አተም/ሴሜ 2

NA

ቢፒዲ

≤1500 ኢአ/ሴሜ 2

≤3000 ኢአ/ሴሜ 2

NA

TSD

≤500 ኢአ/ሴሜ 2

≤1000 ኢአ/ሴሜ 2

NA

የፊት ጥራት

ፊት ለፊት

Si

የገጽታ አጨራረስ

ሲ-ፊት ሲኤምፒ

ቅንጣቶች

≤60ea/ዋፈር (መጠን≥0.3μm)

NA

ጭረቶች

≤5ea/ሚሜ ድምር ርዝመት ≤ዲያሜትር

ድምር ርዝመት≤2*ዲያሜትር

NA

የብርቱካናማ ልጣጭ/ጉድጓዶች/ቆሻሻዎች/ስትሪትስ/ ስንጥቆች/መበከል

ምንም

NA

የጠርዝ ቺፕስ/ኢንደንትስ/ስብራት/ሄክስ ሳህኖች

ምንም

የፖሊታይፕ ቦታዎች

ምንም

ድምር አካባቢ≤20%

ድምር አካባቢ≤30%

የፊት ሌዘር ምልክት

ምንም

የኋላ ጥራት

የኋላ አጨራረስ

ሲ-ፊት ሲኤምፒ

ጭረቶች

≤5ea/ሚሜ፣የተጠራቀመ ርዝመት≤2*ዲያሜትር

NA

የኋላ ጉድለቶች (የጫፍ ቺፕስ/ኢንደንትስ)

ምንም

የኋላ ሻካራነት

ራ≤0.2nm (5μm*5μm)

የኋላ ሌዘር ምልክት ማድረግ

1 ሚሜ (ከላይኛው ጫፍ)

ጠርዝ

ጠርዝ

ቻምፈር

ማሸግ

ማሸግ

Epi-ዝግጁ ከቫኩም እሽግ ጋር

ባለብዙ-ዋፈር ካሴት ማሸጊያ

*ማስታወሻዎች፡- "NA" ማለት ምንም አይነት ጥያቄ የለም ማለት ያልተጠቀሱ ነገሮች ሴሚ-STDን ሊያመለክቱ ይችላሉ።