የሲሊኮን ካርቦዳይድ (ሲሲ) ነጠላ ክሪስታል ቁሳቁስ ትልቅ የባንድ ክፍተት ስፋት (~ Si 3 ጊዜ) ፣ ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ (~ Si 3.3 ጊዜ ወይም GaAs 10 ጊዜ) ፣ ከፍተኛ የኤሌክትሮን ሙሌት ፍልሰት መጠን (~ Si 2.5 ጊዜ) ፣ ከፍተኛ ብልሽት ኤሌክትሪክ አለው። መስክ (~ Si 10 ጊዜ ወይም GaAs 5 ጊዜ) እና ሌሎች አስደናቂ ባህሪያት.
የሲሲ መሳሪያዎች በከፍተኛ ሙቀት ፣ ከፍተኛ ግፊት ፣ ከፍተኛ ድግግሞሽ ፣ ከፍተኛ ኃይል ያለው የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች እና እንደ ኤሮስፔስ ፣ ወታደራዊ ፣ የኑክሌር ኃይል ፣ ወዘተ ባሉ ከፍተኛ የአካባቢ መተግበሪያዎች መስክ ውስጥ የማይተኩ ጥቅሞች አሏቸው መተግበሪያዎች እና ቀስ በቀስ የኃይል ሴሚኮንዳክተሮች ዋና ዋና እየሆኑ ነው።
4H-SiC የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ ዝርዝሮች
| ንጥል 项目 | ዝርዝር መግለጫዎች | |
| ፖሊታይፕ | 4H -ሲሲ | 6H-ሲሲ |
| ዲያሜትር | 2 ኢንች |3 ኢንች |4 ኢንች |6 ኢንች | 2 ኢንች |3 ኢንች |4 ኢንች |6 ኢንች |
| ውፍረት | 330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| ምግባር | N - ዓይነት / ከፊል-መከላከያ | N - ዓይነት / ከፊል-መከላከያ |
| ዶፓንት | N2 (ናይትሮጅን) ቪ (ቫናዲየም) | N2 (ናይትሮጅን) V (ቫናዲየም) |
| አቀማመጥ | ዘንግ ላይ <0001> | ዘንግ ላይ <0001> |
| የመቋቋም ችሎታ | 0.015 ~ 0.03 ohm-ሴሜ | 0.02 ~ 0.1 ohm-ሴሜ |
| የማይክሮ ፓይፕ ትፍገት (MPD) | ≤10/ሴሜ 2 ~ ≤1/ሴሜ 2 | ≤10/ሴሜ 2 ~ ≤1/ሴሜ 2 |
| ቲቲቪ | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| ቀስት / ዋርፕ | ≤25 μm | ≤25 μm |
| ወለል | DSP/SSP | DSP/SSP |
| ደረጃ | የምርት / የምርምር ደረጃ | የምርት / የምርምር ደረጃ |
| የክሪስታል ቁልል ቅደም ተከተል | ኤቢቢቢ | ABCABC |
| የላቲስ መለኪያ | a=3.076A, c=10.053A | a=3.073A, c=15.117A |
| ለምሳሌ/ኢቪ(ባንድ-ክፍተት) | 3.27 ኢቪ | 3.02 ኢቪ |
| ε(ኤሌክትሪክ ኮንስታንት) | 9.6 | 9.66 |
| የማጣቀሻ መረጃ ጠቋሚ | n0 = 2.719 ኔ = 2.777 | n0 =2.707, ne =2.755 |
6H-SiC Silicon Carbide substrate ዝርዝሮች
| ንጥል 项目 | ዝርዝር መግለጫዎች |
| ፖሊታይፕ | 6ኤች-ሲሲ |
| ዲያሜትር | 4 ኢንች |6 ኢንች |
| ውፍረት | 350μm ~ 450μm |
| ምግባር | N - ዓይነት / ከፊል-መከላከያ |
| ዶፓንት | N2(ናይትሮጅን) |
| አቀማመጥ | <0001> ጠፍቷል 4°± 0.5° |
| የመቋቋም ችሎታ | 0.02 ~ 0.1 ohm-ሴሜ |
| የማይክሮ ፓይፕ ትፍገት (MPD) | ≤ 10/ሴሜ 2 |
| ቲቲቪ | ≤ 15 μm |
| ቀስት / ዋርፕ | ≤25 μm |
| ወለል | Si ፊት: CMP, Epi-ዝግጁ |
| ደረጃ | የምርምር ደረጃ |
