የሲሊኮን ዋፈር የሙቀት ኦክሳይድ ንብርብር ከኦክሳይድ ወኪል ጋር በከፍተኛ የሙቀት ሁኔታ ውስጥ በሲሊኮን ቫፈር ባዶ ወለል ላይ የተፈጠረ ኦክሳይድ ንብርብር ወይም የሲሊኮን ንብርብር ነው።ሲሊከን ዋፈር ያለውን አማቂ ኦክሳይድ ንብርብር አብዛኛውን ጊዜ አግድም ቱቦ እቶን ውስጥ አድጓል, እና ዕድገት የሙቀት መጠን በአጠቃላይ 900 ° C ~ 1200 ° ሴ ነው, እና "እርጥብ oxidation" እና "ደረቅ oxidation" ሁለት እድገት ሁነታዎች አሉ. የሙቀት ኦክሳይድ ንብርብር ከሲቪዲ የተከማቸ ኦክሳይድ ንብርብር የበለጠ ተመሳሳይነት ያለው እና ከፍተኛ የዲኤሌክትሪክ ጥንካሬ ያለው “ያደገ” ኦክሳይድ ንብርብር ነው። የሙቀት ኦክሳይድ ንብርብር እንደ ኢንሱሌተር በጣም ጥሩ የዲኤሌክትሪክ ሽፋን ነው። በብዙ ሲሊኮን ላይ በተመሰረቱ መሳሪያዎች ውስጥ የሙቀት ኦክሳይድ ንብርብር እንደ doping blocking layer እና surface dielectric ወሳኝ ሚና ይጫወታል።
ጠቃሚ ምክሮች: የኦክሳይድ አይነት
1. ደረቅ ኦክሳይድ
ሲሊከን ከኦክሲጅን ጋር ምላሽ ይሰጣል, እና የኦክሳይድ ንብርብር ወደ መሰረታዊ ንብርብር ይንቀሳቀሳል. ደረቅ ኦክሳይድ ከ 850 እስከ 1200 ዲግሪ ሴንቲ ግሬድ ባለው የሙቀት መጠን መከናወን አለበት, እና የእድገቱ መጠን ዝቅተኛ ነው, ይህም ለ MOS የኢንሱሌሽን በር እድገት ሊያገለግል ይችላል. ከፍተኛ ጥራት ያለው, እጅግ በጣም ቀጭን የሲሊኮን ኦክሳይድ ንብርብር በሚያስፈልግበት ጊዜ, ደረቅ ኦክሳይድ በእርጥብ ኦክሳይድ ይመረጣል.
ደረቅ ኦክሳይድ አቅም፡ 15nm ~ 300nm(150A ~ 3000A)
2. እርጥብ ኦክሳይድ
ይህ ዘዴ የሃይድሮጅን እና ከፍተኛ ንፅህና ያለው ኦክሲጅን ቅልቅል በ ~ 1000 ° ሴ ለማቃጠል ይጠቀማል, በዚህም የውሃ ትነት በመፍጠር ኦክሳይድ ንብርብር ይፈጥራል. ምንም እንኳን እርጥብ ኦክሳይድ እንደ ደረቅ ኦክሳይድ ከፍተኛ ጥራት ያለው የኦክሳይድ ንብርብር ማምረት ባይችልም ፣ ግን እንደ ገለልተኛ ዞን ለመጠቀም በቂ ፣ ከደረቅ ኦክሳይድ ጋር ሲነፃፀር ከፍተኛ የእድገት መጠን ያለው መሆኑ ግልፅ ጠቀሜታ አለው።
እርጥብ ኦክሳይድ አቅም፡ 50nm ~ 15µm (500A ~ 15µm)
3. ደረቅ ዘዴ - እርጥብ ዘዴ - ደረቅ ዘዴ
በዚህ ዘዴ ንፁህ ደረቅ ኦክሲጅን በመነሻ ደረጃው ወደ ኦክሳይድ እቶን ውስጥ ይወጣል ፣ ሃይድሮጂን በኦክሳይድ መካከል ይጨመራል ፣ እና ሃይድሮጂን በመጨረሻው ላይ ይከማቻል እና ኦክሳይድን በንጹህ ደረቅ ኦክስጅን ለመቀጠል ጥቅጥቅ ያለ ኦክሳይድ መዋቅር ይፈጥራል። የተለመደው እርጥብ ኦክሳይድ ሂደት በውሃ እንፋሎት መልክ።
4. TEOS ኦክሳይድ
የኦክሳይድ ቴክኒክ | እርጥብ ኦክሳይድ ወይም ደረቅ ኦክሳይድ |
ዲያሜትር | 2″/3″/4″/6″/8″/12″ |
የኦክሳይድ ውፍረት | 100 Å ~ 15µm |
መቻቻል | +/- 5% |
ወለል | ነጠላ የጎን ኦክሳይድ (ኤስኤስኦ) / ባለ ሁለት ጎን ኦክሳይድ (DSO) |
እቶን | አግድም ቱቦ እቶን |
ጋዝ | ሃይድሮጅን እና ኦክስጅን ጋዝ |
የሙቀት መጠን | 900℃ ~ 1200 ℃ |
አንጸባራቂ መረጃ ጠቋሚ | 1.456 |